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3 月 26 日 - 28 日，SEMICON China 2025 將在上海新國際博覽中心盛大召開。

覆蓋設備、材料、設計、制造、封裝測試、軟件和服務等微電子、集成電路產業鏈各環節等產業鏈，規模較大、較具影響力的半導體專業展。來自各領域的專家學者、產業鏈相關企業將齊聚一堂，共赴這場半導體嘉年華！

本次展覽會，飛納電鏡展位號 N2-2643，歡迎大家到現場交流和互動！飛納電鏡還準備了免費互動活動，歡迎蒞臨展臺交流！

SEMICON CHINA 2025

會議時間：2025年3月26日-28日

會議地點：上海新國際博覽中心

展位號：N2-2643

SEMICON 2025 獲取觀眾注冊通道 

復納科技云展臺搶先看

復納科技在電子半導體領域，從微納表征和樣品制備、FIB 樣品精修、到微納制造，具有豐富的產品線，飛納電鏡 AFM-SEM 原子力掃描電鏡一體機、飛納清潔度檢測系統 ParticleX，飛納場發射掃描電鏡、表面拋光 / 截面切削制樣設備-氬離子研磨儀、臺式納米 CT 等，可以滿足多樣化的材料檢測需求以及復雜的制程工藝管控，實現缺陷和形貌觀察以及物性失效分析。

識別下方二維碼進入復納科技云展臺，查看復納科技半導體行業綜合解決方案。

Part.1飛納臺式掃描電鏡

01 AFM-SEM 原子力掃描電鏡一體機

Phenom AFM-SEM 原子力掃描電鏡一體機能夠提供多種測量模式，包括機械性能、相關性分析、磁性能、電機械性能和電性能等，覆蓋了從亞納米級地形測量到局部彈性、硬度、磁疇成像、壓電疇成像、導電性映射、局部表面電勢映射以及局部電性能等多個領域。

▌半導體材料-二硫化鉬（MoS）

02失效分析--飛納場發射掃描電鏡

失效分析是對于電子元器件的實效原因進行診斷，這個過程中需要對失效位置的微觀形貌進行檢測，并進行成分分析。電子元器件的失效原因多樣，比如內部存在雜質、介在物、孔洞、腐蝕、開裂等，這些都無法在后續的加工中去除，反而容易引起造成更嚴重的破壞。因此，需要借助掃描電鏡，進行快速判斷失效原因，具有非常重要的意義。

飛納臺式掃描電鏡分辨率優于 1.0nm，15s 抽真空，30s 超快成像，可以快速過濾樣品，確認分析位置和樣品前處理的狀況。具有防震技術，可以放置在 FA 實驗室、高樓層辦公或者產線旁。為您提供高效、簡單、精確的半導體解決方案，幫助您提升工藝良率。

Part.2 掃描電鏡制樣-離子研磨儀

對于電子元器件進行失效分析時，對內部的孔洞、雜質等進行微觀結構觀察和分析時，需要借助離子研磨儀切割的方法，選擇合適的能量離子槍，利于離子束進行剖面的切削或表面拋光處理，可以有效地解決以上問題。

MLCC 電容失效案例：

研磨前：無法確定 MLCC 燒結實際狀況，無法判斷失效原因離子研磨處理后：可以清晰看到 MLCC 介質層存在孔洞等

結合能譜結果發現 MLCC 介質層還存在金屬氧化物

Part.3 FIB/TEM 制樣-離子精修儀

半導體行業需要使用透射電鏡（TEM）從原子尺度研究結構、元素、價態、形貌對器件最終性能的影響。借助聚焦離子術（FIB），工作人員可以制備器件某區域的薄片樣品，用于 TEM 觀察分析。但是，FIB 制樣過程中鎵離子的注入以及所產生的非晶層，卻像一層難以驅散的迷霧，阻礙著人們獲得更高質量的微觀成像和譜學分析結果。

Gentle Mill 離子精修儀配備設計的低能氬離子槍（100 - 2000 eV，連續可調），可在比 FIB 更低的電壓下精修樣品，從而大幅減少損傷層厚度，直至 1nm 以下。該方法可對 FIB 樣品 / TEM 樣品進行表面減薄、表面后處理、去除非晶層和氧化層，實現對樣品的表面清潔和最終精修，展現樣品原始形貌結構，是改善 FIB 樣品的一種有效手段。此外，該設備還可以部分去除 TEM 觀察時在樣品表面產生的碳沉積，從而可以實現多次利用寶貴的 FIB 樣品的可能。

左圖為原始 FIB  (30kV) 處理薄片；右圖為經過 Gentle Mill (300 eV) 處理的薄片。Si-SiGe 多層異質結構樣品兩側均使用 Gentle Mill 處理 2 分鐘，以去除 FIB 薄片制備產生的非晶層。在 FIB 薄片的邊緣處可以看到非晶層厚度明顯減少。

Part.4 NEOSCAN 臺式顯微 CT

顯微 CT 以其高分辨、非破壞和三維成像的能力，被廣泛應用于電子元器件領域。在不影響設備完整性的前提下，可以準確識別和分析各種電子元器件，包括微型晶體管、電容器、電阻器等，可以發現內部可能存在的缺陷、焊接問題等，從而確保設備的品質和可靠性。

NEOSCAN N90 以 500nm 體素尺寸掃描高級 GPU，輕松分辨每一個TSV（通硅孔）

Part.5 VSParticle 納米研究平臺

在半導體加工中，顆粒污染是不可避免的。部分顆粒發生器無法穩定的產生納米級（尤其是 23nm 以下）的顆粒，同時對于顆粒的組分限制較多，部分方法含有液體，不利于顆粒污染的去除。

VSParticle-P1 納米印刷沉積系統能夠實現無機納米結構材料的打印直寫。印刷涂層的顆粒由火花燒蝕技術產生，氣溶膠顆粒典型粒徑在 20nm 以下，且不含表面活性劑或任何其他有機添加物質。借助 VSP-P1 納米印刷沉積系統沖壓沉積模式，可以在晶圓選定區域沉積圖案或顆粒。同時搭載的納米粒子發生器可通過二次粒徑篩選，并沉積到選定區域，選定粒徑的顆粒可以進行納米顆粒污染導致的失效模擬，或研究區域的顆粒清除效果。

顆粒輸出精度：±0.5nm，1-10nm 顆粒可選

Part.6 DEMSsolutions 原位樣品桿

在半導體器件生產過程中，晶體生長過程、相變結構演變、器件性能測試、環境條件影響這幾個方面都會影響到器件最終出廠后的實際性能表現。如何從微觀層面研究上述因素對器件結構、性能的影響，就顯得至關重要。

DENSsolutions 透射電鏡原位方案，采用側插式樣品桿設計、無需對電鏡做額外改裝、兼容市面上主流品牌透射電鏡，從高溫、低溫、電場、氣氛等方面提供一系列的原位透射方案，具體性能包括：分辨率 60 pm、最高溫度 1300 ℃、低溫度 -160 ℃、最大電場 300 kV/cm、最大氣壓 2Bar、兼容多種氣體。借助 DENSsolutions 方案，工作人員可以在高分辨觀察的同時，對材料、器件施加多種外場刺激，以研究晶體生長、結構演變、環境條件的對器件結構、性能的影響。